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Microchip晶振SA15-28極端環(huán)境下關(guān)鍵任務(wù)的能量密碼
Microchip晶振SA15-28極端環(huán)境下關(guān)鍵任務(wù)的能量密碼
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,許多關(guān)鍵任務(wù)需要在極端環(huán)境下完成,這些環(huán)境對(duì)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提出了前所未有的挑戰(zhàn).從酷熱的沙漠油田到寒冷的極地科考站,從深海的勘探設(shè)備到高空中的飛行器,各種極端條件無(wú)處不在.以高溫環(huán)境為例,在沙漠地區(qū)的石油開(kāi)采作業(yè)中,夏季地表溫度常常超過(guò)50℃,在這樣的高溫下,普通電子設(shè)備的散熱系統(tǒng)面臨巨大壓力,極易出現(xiàn)過(guò)熱導(dǎo)致的死機(jī),元件損壞等問(wèn)題.據(jù)相關(guān)研究表明,溫度每升高10℃,電子設(shè)備的故障率就會(huì)增加約50%.而在高壓環(huán)境下,如深海潛水器,每下潛10米就會(huì)增加約1個(gè)大氣壓,潛水器內(nèi)部的電子設(shè)備必須承受巨大的壓力,稍有不慎就可能因壓力導(dǎo)致外殼破裂,電路短路等故障.強(qiáng)電磁干擾環(huán)境同樣不容小覷,在大型變電站附近,復(fù)雜的電磁環(huán)境會(huì)干擾電子設(shè)備的信號(hào)傳輸,導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失,通信中斷等問(wèn)題.例如,曾經(jīng)有變電站附近的通信設(shè)備因電磁干擾,出現(xiàn)了長(zhǎng)達(dá)數(shù)小時(shí)的通信中斷,嚴(yán)重影響了電力系統(tǒng)的調(diào)度和運(yùn)行.關(guān)鍵任務(wù),如航空航天,醫(yī)療生命支持,能源開(kāi)采與輸送等領(lǐng)域,對(duì)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行有著極高的要求.在航空航天領(lǐng)域,飛行器在飛行過(guò)程中,任何一個(gè)設(shè)備的故障都可能引發(fā)災(zāi)難性后果.醫(yī)療生命支持設(shè)備,如手術(shù)室中的體外循環(huán)機(jī),重癥監(jiān)護(hù)室的生命體征監(jiān)測(cè)儀等,一旦出現(xiàn)故障,將直接危及患者的生命安全.能源開(kāi)采與輸送中的管道監(jiān)測(cè)系統(tǒng),鉆井設(shè)備等,穩(wěn)定運(yùn)行是保障能源供應(yīng)的關(guān)鍵,設(shè)備故障可能導(dǎo)致能源供應(yīng)中斷,引發(fā)一系列經(jīng)濟(jì)和社會(huì)問(wèn)題.
產(chǎn)品概述
SA15-28三系列產(chǎn)品是Microchip工業(yè)應(yīng)用晶振精心打造的面向極端環(huán)境應(yīng)用的關(guān)鍵產(chǎn)品,包括SA15系列,SA28系列以及它們之間協(xié)同工作的組合系統(tǒng).這些產(chǎn)品集成了先進(jìn)的電源管理技術(shù),高可靠性的電路設(shè)計(jì)以及卓越的信號(hào)處理能力,旨在為極端環(huán)境下的關(guān)鍵任務(wù)提供穩(wěn)定,高效的動(dòng)力支持.無(wú)論是在高溫,高壓,強(qiáng)電磁干擾等單一極端環(huán)境,還是多種極端環(huán)境交織的復(fù)雜工況下,SA15-28三系列產(chǎn)品都展現(xiàn)出了卓越的適應(yīng)性和可靠性.
獨(dú)特設(shè)計(jì)亮點(diǎn)
在硬件結(jié)構(gòu)方面,SA15-28三系列產(chǎn)品采用了緊湊而堅(jiān)固的一體化設(shè)計(jì).以SA15系列為例,其外殼采用高強(qiáng)度合金材料,經(jīng)過(guò)特殊的鍛造工藝處理,具有極高的強(qiáng)度和耐腐蝕性.這種材料能夠有效抵御高溫環(huán)境下的熱脹冷縮影響,防止外殼變形導(dǎo)致內(nèi)部元件受損.同時(shí),在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上,產(chǎn)品內(nèi)部采用了多層屏蔽和隔離技術(shù),將敏感的電子元件與外界惡劣環(huán)境隔離開(kāi)來(lái).例如,在強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下,多層屏蔽結(jié)構(gòu)能夠有效阻擋外界電磁信號(hào)的侵入,保證設(shè)備內(nèi)部信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性.據(jù)測(cè)試,在1000V/m的強(qiáng)電磁干擾場(chǎng)中,SA15系列產(chǎn)品的信號(hào)傳輸誤碼率低于0.01%,遠(yuǎn)優(yōu)于同類(lèi)產(chǎn)品.在材料選用上,該系列產(chǎn)品更是精益求精.SA28系列的電路板采用了耐高溫,耐潮濕的特殊復(fù)合材料,這種材料在高溫高濕環(huán)境下依然能夠保持良好的電氣性能和機(jī)械性能.其電子元件也經(jīng)過(guò)嚴(yán)格篩選,選用了寬溫范圍的器件,能夠在-55℃至150℃的溫度范圍內(nèi)正常工作.例如,SA28系列中的電容元件采用了鉭電容,相比普通電容,鉭電容具有更好的溫度穩(wěn)定性和壽命特性,在極端溫度下,其容值變化率小于5%,有效保證了電路的穩(wěn)定性.
技術(shù)優(yōu)勢(shì)剖析
(一)高穩(wěn)定性的供電系統(tǒng)
SA15-28三系列產(chǎn)品采用了先進(jìn)的寬電壓輸入技術(shù),其供電系統(tǒng)能夠在9V至36V的寬電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作.這一特性使得產(chǎn)品在不同的電源環(huán)境下都能保持穩(wěn)定運(yùn)行,避免了因電壓波動(dòng)而導(dǎo)致的設(shè)備故障.例如,在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)時(shí)電池電壓會(huì)瞬間下降,而發(fā)電機(jī)工作時(shí)電壓又會(huì)升高,電壓波動(dòng)較為常見(jiàn).SA15-28三系列產(chǎn)品憑借其寬電壓輸入技術(shù),能夠輕松應(yīng)對(duì)這種電壓波動(dòng),確保車(chē)載設(shè)備應(yīng)用晶振如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元(ECU),傳感器等的穩(wěn)定運(yùn)行.同時(shí),該系列產(chǎn)品內(nèi)部集成了高效的電源穩(wěn)壓電路和電源監(jiān)控模塊.電源穩(wěn)壓電路采用了先進(jìn)的脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù),能夠?qū)⑤斎腚妷悍€(wěn)定地轉(zhuǎn)換為設(shè)備所需的工作電壓,輸出電壓的紋波系數(shù)小于0.5%,有效保證了電壓的穩(wěn)定性.電源監(jiān)控模塊則實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電源的狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)電壓異常,能夠在1微秒內(nèi)快速響應(yīng),通過(guò)調(diào)整穩(wěn)壓電路的參數(shù)或發(fā)出警報(bào)信號(hào),確保設(shè)備的安全運(yùn)行.例如,當(dāng)電源電壓出現(xiàn)過(guò)壓或欠壓情況時(shí),電源監(jiān)控模塊會(huì)立即啟動(dòng)保護(hù)機(jī)制,防止過(guò)高或過(guò)低的電壓對(duì)設(shè)備造成損壞.
(二)強(qiáng)大的抗干擾能力
在電路設(shè)計(jì)上,SA15-28三系列產(chǎn)品采用了多層屏蔽和接地技術(shù).產(chǎn)品的外殼采用金屬材質(zhì),形成了第一層電磁屏蔽層,能夠有效阻擋外界電磁干擾的侵入.內(nèi)部電路板則采用了多層PCB設(shè)計(jì),每層之間都設(shè)置了接地層和屏蔽層,進(jìn)一步增強(qiáng)了對(duì)電磁干擾的屏蔽效果.例如,在強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下,如變電站附近,SA15-28三系列產(chǎn)品的多層屏蔽結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑼饨珉姶鸥蓴_信號(hào)衰減90%以上,保證設(shè)備內(nèi)部信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性.在信號(hào)處理方面,產(chǎn)品采用了先進(jìn)的數(shù)字濾波和糾錯(cuò)算法.數(shù)字濾波器能夠?qū)斎胄盘?hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)濾波,去除其中的干擾噪聲,提高信號(hào)的質(zhì)量.糾錯(cuò)算法則能夠?qū)鬏斶^(guò)程中出現(xiàn)錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)進(jìn)行自動(dòng)糾正,確保數(shù)據(jù)的完整性和準(zhǔn)確性.據(jù)測(cè)試,在復(fù)雜電磁干擾環(huán)境下,SA15-28三系列產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸準(zhǔn)確率達(dá)到99.99%以上,遠(yuǎn)高于同類(lèi)產(chǎn)品.例如,在無(wú)線(xiàn)通信設(shè)備晶振中,當(dāng)受到周?chē)渌麩o(wú)線(xiàn)信號(hào)干擾時(shí),SA15-28三系列產(chǎn)品的數(shù)字濾波和糾錯(cuò)算法能夠有效消除干擾,保證通信的暢通.
(三)出色的溫度適應(yīng)性
SA15-28三系列產(chǎn)品在散熱設(shè)計(jì)上采用了高效的散熱結(jié)構(gòu)和材料.以SA28系列為例,其內(nèi)部采用了大面積的散熱片和導(dǎo)熱硅脂,能夠?qū)㈦娮釉a(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)出去.散熱片采用銅合金材料,具有良好的導(dǎo)熱性能,其導(dǎo)熱系數(shù)比普通鋁合金材料高出30%.同時(shí),產(chǎn)品還設(shè)計(jì)了合理的風(fēng)道,利用自然對(duì)流或風(fēng)扇強(qiáng)制對(duì)流的方式,將熱量散發(fā)到周?chē)h(huán)境中.在高溫環(huán)境下,如50℃的沙漠油田中,SA28系列產(chǎn)品通過(guò)高效的散熱設(shè)計(jì),能夠?qū)?nèi)部溫度控制在安全范圍內(nèi),保證設(shè)備的正常運(yùn)行.產(chǎn)品選用的電子元件具有出色的溫度特性.其采用的集成電路芯片,電阻,電容等元件均經(jīng)過(guò)嚴(yán)格篩選,能夠在-55℃至150℃的寬溫度范圍內(nèi)正常工作.這些元件在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中,充分考慮了溫度對(duì)其性能的影響,通過(guò)優(yōu)化材料和結(jié)構(gòu),提高了元件的溫度穩(wěn)定性.例如,SA15系列中的電容元件采用了特殊的陶瓷材料,在極端溫度下,其容值變化率小于5%,有效保證了電路的穩(wěn)定性.在低溫環(huán)境下,如-40℃的極地科考站,SA15系列產(chǎn)品的電子元件依然能夠保持良好的性能,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行.
實(shí)際應(yīng)用案例展示
(一)航天領(lǐng)域
在某型號(hào)的深空探測(cè)器中,SA15-28三系列產(chǎn)品發(fā)揮了關(guān)鍵作用.該探測(cè)器需要執(zhí)行對(duì)遙遠(yuǎn)行星的探測(cè)任務(wù),在長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的飛行過(guò)程中,要穿越復(fù)雜的宇宙輻射帶,面臨太陽(yáng)風(fēng)暴的威脅,同時(shí)還要在接近目標(biāo)行星時(shí)承受極端的溫度變化和強(qiáng)引力場(chǎng)的影響.SA15系列產(chǎn)品負(fù)責(zé)為探測(cè)器的核心電子設(shè)備提供穩(wěn)定的電源.其高穩(wěn)定性的供電系統(tǒng)在宇宙射線(xiàn)干擾和極端溫度下,依然能夠保證輸出電壓的穩(wěn)定,為探測(cè)器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng),通信設(shè)備和各種科學(xué)探測(cè)儀器提供可靠的電力支持.例如,在一次太陽(yáng)風(fēng)暴期間,宇宙射線(xiàn)強(qiáng)度急劇增加,普通電源設(shè)備可能會(huì)因輻射干擾而出現(xiàn)電壓波動(dòng)甚至斷電,但SA15系列產(chǎn)品憑借其多層屏蔽和抗輻射設(shè)計(jì),成功抵御了輻射干擾,確保了探測(cè)器各系統(tǒng)的正常運(yùn)行.SA28系列產(chǎn)品則主要應(yīng)用于探測(cè)器的信號(hào)處理和控制單元.在強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下,其強(qiáng)大的抗干擾能力保證了探測(cè)器內(nèi)部信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性.探測(cè)器在接近目標(biāo)行星時(shí),行星周?chē)拇艌?chǎng)和等離子體環(huán)境會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾,SA28系列產(chǎn)品通過(guò)先進(jìn)的數(shù)字濾波和糾錯(cuò)算法,有效消除了干擾信號(hào),確保了探測(cè)器對(duì)行星表面的成像,物質(zhì)成分分析等數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確采集和傳輸,為科學(xué)家們提供了寶貴的研究資料.
(二)工業(yè)自動(dòng)化
在一家鋼鐵制造企業(yè)的熱軋生產(chǎn)線(xiàn)中,環(huán)境溫度常常高達(dá)70℃以上,并且伴隨著大量的粉塵和強(qiáng)電磁干擾.傳統(tǒng)的電子設(shè)備在這樣的環(huán)境下,故障率極高,頻繁的設(shè)備故障嚴(yán)重影響了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量.該企業(yè)引入了SA15-28三系列產(chǎn)品來(lái)保障自動(dòng)化設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行.SA15系列產(chǎn)品為生產(chǎn)線(xiàn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),傳感器和控制器等設(shè)備提供穩(wěn)定的電源.其寬電壓輸入技術(shù)適應(yīng)了工廠(chǎng)復(fù)雜的電網(wǎng)環(huán)境,高效的散熱設(shè)計(jì)確保了在高溫環(huán)境下電源模塊的正常工作.在一次夏季高溫期間,車(chē)間溫度持續(xù)超過(guò)75℃,其他未采用SA15系列產(chǎn)品供電的設(shè)備出現(xiàn)了因過(guò)熱導(dǎo)致的停機(jī)故障,但采用SA15系列產(chǎn)品供電的設(shè)備依然穩(wěn)定運(yùn)行,保障了生產(chǎn)線(xiàn)的正常運(yùn)轉(zhuǎn).SA28系列產(chǎn)品應(yīng)用于生產(chǎn)線(xiàn)的數(shù)據(jù)采集和傳輸系統(tǒng).在高粉塵和強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下,其出色的抗干擾能力保證了傳感器數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確采集和傳輸.例如,在對(duì)熱軋鋼板的厚度,溫度等參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)時(shí),SA28系列產(chǎn)品能夠有效過(guò)濾掉因粉塵和電磁干擾產(chǎn)生的噪聲信號(hào),將準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)傳輸給控制系統(tǒng),使得控制系統(tǒng)能夠根據(jù)實(shí)際情況及時(shí)調(diào)整生產(chǎn)參數(shù),提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)效率.據(jù)統(tǒng)計(jì),引入SA15-28三系列產(chǎn)品后,該鋼鐵企業(yè)熱軋生產(chǎn)線(xiàn)的設(shè)備故障率降低了40%,生產(chǎn)效率提高了25%.
(三)能源勘探
在北極地區(qū)的石油勘探項(xiàng)目中,勘探設(shè)備需要在極寒的環(huán)境下工作,溫度經(jīng)常低至-50℃以下,同時(shí)還要應(yīng)對(duì)強(qiáng)風(fēng),暴雪等惡劣天氣條件.SA15-28三系列產(chǎn)品為勘探設(shè)備提供了可靠的動(dòng)力支持.SA15系列產(chǎn)品的低溫適應(yīng)性確保了在極寒環(huán)境下能夠正常啟動(dòng)和穩(wěn)定運(yùn)行,為勘探設(shè)備的加熱系統(tǒng),動(dòng)力系統(tǒng)等提供穩(wěn)定的電源.在一次暴風(fēng)雪中,環(huán)境溫度驟降至-55℃,部分未采用SA15系列產(chǎn)品供電的設(shè)備因電池低溫性能下降而無(wú)法工作,但采用SA15系列產(chǎn)品供電的設(shè)備依然能夠正常運(yùn)行,保障了勘探工作的連續(xù)性.SA28系列產(chǎn)品應(yīng)用于勘探設(shè)備的通信和控制系統(tǒng).在復(fù)雜的電磁環(huán)境下,其強(qiáng)大的抗干擾能力保證了設(shè)備之間通信的暢通和控制指令的準(zhǔn)確傳輸.例如,在通過(guò)衛(wèi)星通信將勘探數(shù)據(jù)傳輸回基地時(shí),SA28系列產(chǎn)品能夠有效抵御北極地區(qū)復(fù)雜的電離層干擾,確保數(shù)據(jù)的快速,準(zhǔn)確傳輸,為勘探?jīng)Q策提供了及時(shí)的數(shù)據(jù)支持.在深海石油勘探中,勘探設(shè)備面臨著高壓,強(qiáng)腐蝕和黑暗的環(huán)境.SA15-28三系列產(chǎn)品同樣表現(xiàn)出色,SA15系列產(chǎn)品的高強(qiáng)度外殼和耐腐蝕設(shè)計(jì)適應(yīng)了深海的高壓和強(qiáng)腐蝕環(huán)境,為水下勘探設(shè)備提供穩(wěn)定的電源;SA28系列產(chǎn)品的防水,抗壓設(shè)計(jì)確保了在水下能夠正常工作,為水下機(jī)器人,傳感器等設(shè)備提供可靠的信號(hào)處理和通信支持.
Microchip晶振SA15-28極端環(huán)境下關(guān)鍵任務(wù)的能量密碼
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Microchip |
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HCSL |
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Microchip |
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CMOS |
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DSC1101DL5-020.0000 |
Microchip |
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MEMS |
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CMOS |
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Microchip |
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MEMS |
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CMOS |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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Microchip |
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MEMS |
125MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±50ppm |
|
MX575ABC70M0000 |
Microchip |
MX57 |
XO (Standard) |
70MHz |
LVCMOS |
2.375 V ~ 3.63 V |
±50ppm |
|
MX553BBD156M250 |
Microchip |
MX55 |
XO (Standard) |
156.25MHz |
HCSL |
2.375 V ~ 3.63 V |
±50ppm |
|
MX575ABB50M0000 |
Microchip |
MX57 |
XO (Standard) |
50MHz |
LVDS |
2.375 V ~ 3.63 V |
±50ppm |
|
MX573LBB148M500 |
Microchip |
MX57 |
XO (Standard) |
148.5MHz |
LVDS |
2.375 V ~ 3.63 V |
±50ppm |
|
MX554BBD322M265 |
Microchip |
MX55 |
XO (Standard) |
322.265625MHz |
HCSL |
2.375 V ~ 3.63 V |
±20ppm |
|
MX573NBB311M040 |
Microchip |
MX57 |
XO (Standard) |
311.04MHz |
LVDS |
2.375 V ~ 3.63 V |
±50ppm |
|
MX573NBD311M040 |
Microchip |
MX57 |
XO (Standard) |
311.04MHz |
HCSL |
2.375 V ~ 3.63 V |
±50ppm |
|
MX573NBA622M080 |
Microchip |
MX57 |
XO (Standard) |
622.08MHz |
LVPECL |
2.375 V ~ 3.63 V |
±50ppm |
|
DSC1033DC1-012.0000 |
Microchip |
DSC1033 |
MEMS |
12MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
DSC1001CI2-066.6666B |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
66.6666MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±25ppm |
|
DSC1001CI2-066.6666B |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
66.6666MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±25ppm |
|
DSC1001CI2-066.6666B |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
66.6666MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±25ppm |
|
DSC1001DI1-026.0000T |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
26MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±50ppm |
|
DSC1001DI1-026.0000T |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
26MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±50ppm |
|
DSC1001DI1-026.0000T |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
26MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±50ppm |
|
DSC1101CM2-062.2080T |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
62.208MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1101CM2-062.2080T |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
62.208MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1101CM2-062.2080T |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
62.208MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1121DM1-033.3333 |
Microchip |
DSC1121 |
MEMS |
33.3333MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±50ppm |
|
DSC1001DI2-004.0960T |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
4.096MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±25ppm |
|
DSC1001DI2-004.0960T |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
4.096MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±25ppm |
|
DSC1001DI2-004.0960T |
Microchip |
DSC1001 |
MEMS |
4.096MHz |
CMOS |
1.8 V ~ 3.3 V |
±25ppm |
|
DSC1121BM1-024.0000 |
Microchip |
DSC1121 |
MEMS |
24MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±50ppm |
|
DSC1101CI5-020.0000T |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
20MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±10ppm |
|
DSC1101CI5-020.0000T |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
20MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±10ppm |
|
DSC1101CI5-020.0000T |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
20MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±10ppm |
|
DSC1123CI2-125.0000T |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
125MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1101CL5-014.7456 |
Microchip |
DSC1101 |
MEMS |
14.7456MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±10ppm |
|
DSC1104BE2-100.0000 |
Microchip |
DSC1104 |
MEMS |
100MHz |
HCSL |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1123AI2-062.5000T |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
62.5MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1123AI2-062.5000T |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
62.5MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1123AI2-062.5000T |
Microchip |
DSC1123 |
MEMS |
62.5MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1103BI2-100.0000T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
100MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1103BI2-100.0000T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
100MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1103BI2-100.0000T |
Microchip |
DSC1103 |
MEMS |
100MHz |
LVDS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
|
DSC1121BI2-080.0000 |
Microchip |
DSC1121 |
MEMS |
80MHz |
CMOS |
2.25 V ~ 3.6 V |
±25ppm |
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