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CTS晶振,貼片晶振,TFE32晶振,32.768K諧振器

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*1.5mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：0755-27837162

1999，CTS晶振收購了摩托羅拉的組件產品部門（CPD）。更名為CTS的無線組件，這一收購將CTS在新興的手機和基站市場前沿通過陶瓷過濾器的制造，雙工器和其他通信組件。此外，90年代后期與美國動力公司（DCA）的合并，增強了CTS作為電子元件的主要生產商的地位。作為戰略的一部分，CTS銷售EMS業務。該交易加劇了CTS對其零部件和傳感器業務的關注，并提供額外資金以推動核心能力的增長。表面SMD封裝晶振,音叉型32.768K級晶體,TFE32晶振
CTS晶振集團為確保安全、提高保護預防措施、產品的可靠性以及職業安全，確保職業健康與環境的優越性，通過正式的管理進口晶振事宜評審和對健康、安全和環境實施效果的持續改進，保護人群及財產與環境。CTS晶振集團建立一種可測量的發展和改進的目標指標，定期進行內審和管理評審。在現有的或新生的各種活動中不斷監測和改進環境績效。通過對生產活動的持續改進和促進對低效或無效的環境法律法規進行合理化轉變，努力提高環境管理中資本的效力。

表面SMD封裝晶振,音叉型32.768K級晶體,TFE32晶振

CTS晶振,貼片晶振,TFE32晶振,32.768K諧振器,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產品具有優良的耐熱性,耐環境特性,可發揮晶振優良的電氣特性,符合RoHS規定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產品在封裝時能發揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機晶體,產品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費電子數碼產品,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術：是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。表面SMD封裝晶振,音叉型32.768K級晶體,TFE32晶振

CTS晶振	單位	TFE32晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.1~0.5μW Max.	推薦:0.1~0.5μW
頻率公差	f_— l	±10,20× 10-6	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	6,7,9,12.5PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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這些晶振知識介紹是指，進口SMD晶振在產品上線之后發生不良品或者沒反應的情況下，自檢辦法。石英晶振如果在電路上的功能不規則或根本無法全部晶振找出得到了應用操作，請使用以下的清單找出可能存在的問題。請按照確定的因素和可能的解決方案的說明。我們從晶振使用輸出無信號開始尋找相關問題。CTS晶振,貼片晶振,TFE32晶振,32.768K諧振器
我們可以先使用示波器或者頻率計數器來檢查無源石英晶體終端的兩個信號，如果沒有信號輸出，請按照步驟1-1到1-4步執行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號，而是從在終端（辛）輸出沒有信號，請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來并測試晶振的頻率和負載電容，看看他們是否能振動，也可以使用專業的石英貼片晶體測試儀器來檢測。如果你沒法檢測你也可以將不良品發送給我公司，我們檢測分析之后告訴你結果。如果有下列情況發生，晶振不起振，首先你先查看你產品上使用的負載電容CL是否對，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產品發送回我公司分析。如果晶振頻率和負載電容跟要求相對應的話，我們將需要進行等效電路測試。比如等效電路測試如下：表面SMD封裝晶振,音叉型32.768K級晶體,TFE32晶振

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在3.2x1.5mm晶體電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。CTS晶振,貼片晶振,TFE32晶振,32.768K諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過32.768K貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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