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SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：1.54*0.84mm

1508mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進行選擇.

訂購熱線：0755-27837162

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SiTime晶振的MEMS技術(shù)起源于博世和斯坦福大學。在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立SiTime之前，他們花了數(shù)年時間，在德國的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案。我們已經(jīng)向世界各地的客戶提供了超過7億部份的產(chǎn)品，在MEMS的時間安排上有90%的份額，并且每年都在以超過50%的速度增長。SiTime是兆大公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司。SiTime于2013年進入智能手機市場，第一個是移動電話的MEMS振蕩器，現(xiàn)在可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)應用正在快速增長。
我們讓oem廠商和ODMs都很容易使用SiTime貼片晶振。我們的QFN振蕩器是100%的替代石英振蕩器，而不需要任何板上的改變。另外，我們的可編程架構(gòu)使最靈活的產(chǎn)品具有更多的特性和超快的交貨期。SiTime解決方案是一個很容易的選擇——一旦我們的客戶使用SiTime產(chǎn)品，他們很少會回到quartz。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振

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SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振.是針對電池供電應用而優(yōu)化的超小型，超低功耗32.768 kHz TCXO。 SiTime的硅MEMS技術(shù)使全球最小的封裝和芯片級封裝（CSP）中的首款32 kHz TCXO成為可能。典型的內(nèi)核電源電流僅為1μA。與標準振蕩器不同的是，SiT1552具有NanoDrive™（工廠可編程輸出），可降低電壓擺幅以最大限度地降低功耗。TCXO頻率穩(wěn)定性SiT1552在多個溫度點進行出廠校準（微調(diào)），以確保在整個溫度范圍內(nèi)具有極高的穩(wěn)定性。
SiTime貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

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SiTime晶振	標示	SiT1552晶振	晶振基本信息對照表
標準范圍	f0	32.768KHz
電源電圧	Vcc	＋1.5V~3.63V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc1.8V
頻率負載	L_CMOS	15pF	LVCMOS出力
標準頻率偏差	f_tol	±5.0×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標準時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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SiT1552 1508 32.768K TCXO

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噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音，可能導致會引發(fā)32.768K溫補晶振功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低。SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振
輸出負載
建議將輸出負載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應，從而導致非正常工作。同時，當P通道和N通道都處于打開時，電源功率消耗也會增加；因此，請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的32.768K晶體振蕩器的產(chǎn)品特性，并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰，因此安裝時，請檢查安裝方向是否正確。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會導致導航儀有源晶振無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

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輸出波形與測試電路
1.時序表

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2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。超小型有源晶振,低電壓晶體振蕩器,SiT1552晶振
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）SiTime晶振,溫補晶振,SiT1552晶振