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西鐵城晶振,貼片晶振,HCM4920000000ABJT晶振

頻率：3.5~50MHZ

尺寸：12.0*3.8*4.3mm

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優勢.

訂購熱線：0755-27837162

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日本株式會社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】，該品牌創立時間在1918年，早期主要研發與生產時計產品，在1959年西鐵城成功研發出防水，防振的手表，從此轟動世界成為了個性時尚品牌.在1975年西鐵城會社成立了西鐵城株式會社水晶事業部，從此研發音叉型壓電石英水晶振動子.49SMD假面貼片晶體,HCM49晶振,HCM4920000000ABJT晶振
西鐵城晶振公司為工業市場提供高性能和精密設備,不斷開發新技術和新技術在我們的制造業和工程.我們有一個良好的信譽在市場上特別是對我們的晶振,石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來改善我們的技術和發展提供有價值的服務我們的客戶,即使這是一個利基市場.西鐵城晶振奉行的管理政策是“標題作為紀念公司保持活著在這個時代”.日本制造業可持續發展的業務形式將在這樣一個追求快速多變的經濟,而重視個人、社會和環境問題.西鐵城晶振試圖滿足你在電子設備領域中成為龍頭企業.

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西鐵城晶振,貼片晶振,HCM4920000000ABJT晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
超小型、超低頻無源晶振晶片的邊緣處理技術：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發及生產必須解決的技術問題，為壓電石英晶振行業的技術難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩定.49SMD假面貼片晶體,HCM49晶振,HCM4920000000ABJT晶振

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西鐵城晶振	單位	HCM49晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	3.5~50MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:100μW
頻率公差	f_— l	±30× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息,http://m.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	7pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 /year Max.	+25°C,第一年

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每個封裝類型的注意事項:陶瓷包裝假面晶振與SON產品在焊接陶瓷封裝晶振和SON產品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。西鐵城晶振,貼片晶振,HCM4920000000ABJT晶振
陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性.(2)陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產品:產品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導致氣密性和產品特性受到破壞。當SMD石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產品固在定電路板上。49SMD假面貼片晶體,HCM49晶振,HCM4920000000ABJT晶振

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驅動能力:驅動能力說明49/SMD無源諧振器振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.西鐵城晶振,貼片晶振,HCM4920000000ABJT晶振

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測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過49SMD晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應使用帶有小的內部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）

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此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出貼片石英晶振測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

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探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過49S無源晶體輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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