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ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器
頻率：10~40MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
ECS,inc .完全承諾并支持RoHS指令，現在生產符合以下定義的符合要求的產品。我們許多晶振產品從一開始就與RoHS兼容。他們中的許多人符合下面的指導方針。通過無鉛認證產品:鉛(鉛)和其他材料(Hg、Cd、Cr + Vl、PBB和PBDE)在RoHS指令中被禁止，低于歐盟所提議的所有適用的物質閾值。國際生產各種電子元件。從圓柱形音叉晶體到高穩定性的烤爐控制振蕩器，ECS,inc .提供最多行業中頻率控制設備的綜合。ECS公司的產品是通過全球子公司的供應鏈網絡進行戰略性的交付位于主要設計中心，客戶合同制造子公司和主要市場。歐美進口無源晶振,5032M級4P晶振,ECX-53BQ晶振
ECS晶振公司是世界一流的研究機構和電子設備設計師公認的創新頻率控制解決方案的前15的全球開發商和制造出全球競爭者數超過600的。我們的全球支持工作力超過225家制造工廠，物流中心位于香港之內;韓國首爾;.煙臺，中國，當然還有美國我們全球收入不報也不上市，由于其私人和專有所有權狀態。作為一個在提供商支持整個市場達到超過$ 28億美元的最高層次的全球社區，你可以放心，您正在使用它的空間了“同類最佳”的頻率控制供應商之一合作。我們擁有世界一流的營銷，銷售，分銷，工程和客戶服務團隊，每天從事全球技術網絡為我們的客戶提供最佳的應用解決方案。
ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器,智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩定。歐美進口無源晶振,5032M級4P晶振,ECX-53BQ晶振
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單位 |
ECX-53BQ晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
10~40MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±100× 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
7pF |
不同負載要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-20°C~+70°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般來說，微處理器的進口陶瓷晶振振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。 Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的共電路，但僅用于具有高電源電路。ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器
一個穩定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是無源SMD晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：歐美進口無源晶振,5032M級4P晶振,ECX-53BQ晶振
線路連接的電阻（R）與晶體串聯（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。（3）振蕩期間測量R的值。（4）你將能夠獲得負電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。如果進口石英晶振的參數是正常的，但它不工作穩步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過5032貼片晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.ECS晶體,貼片晶振,ECX-53BQ晶振,陶瓷諧振器
驅動能力:驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：四腳貼片無源晶振驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用5032無源晶振正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸陶瓷面貼片晶振測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
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