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Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-165晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振

頻率：38.4MHZ

尺寸：2.5*2.0*0.5mm

小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時(shí)鐘晶體或電壓控晶體振蕩器（VCXO）解決方案標(biāo)準(zhǔn)尺寸為9x14mm。同超過(guò)12 kHz的37fs典型RMS抖動(dòng)20MHz帶寬@ 100MHz載波，ABLNO是性能驅(qū)動(dòng)的理想選擇通訊，射頻，無(wú)線回程，和儀器應(yīng)用。Abracon公司的產(chǎn)品是COTS - 商業(yè)現(xiàn)貨產(chǎn)品; 適用于商業(yè)，工業(yè)和指定的自動(dòng)化應(yīng)用。Abracon的產(chǎn)品不是專為軍事，航空，航空航天，生命依賴醫(yī)療應(yīng)用或任何需要高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的.
Abracon工程副總裁Syed Raza評(píng)論說(shuō)：“半導(dǎo)體晶振技術(shù)致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉(zhuǎn)出來(lái)，芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益，對(duì)gm_critical指標(biāo)產(chǎn)生不利影響。 PAS測(cè)試是診斷可預(yù)防問(wèn)題的最可靠的方法。““作為IoT™的心跳，我們力求為客戶提供盡可能多的工具和服務(wù)，將其設(shè)計(jì)帶入下一個(gè)低功率平臺(tái)。 Abras的營(yíng)銷總監(jiān)Juan Conchas評(píng)論說(shuō)，PAS測(cè)試服務(wù)可以在設(shè)計(jì)中對(duì)關(guān)鍵子系統(tǒng)進(jìn)行驗(yàn)證，因?yàn)槿绻袷幤鳠o(wú)法運(yùn)行，沒(méi)有任何操作。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-165晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振,2520mm體積的晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：石英貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Abracon晶振	單位	ABM10-165晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	38.4MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	50μW Max.	推薦:50μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.sdws.net/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±1× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

ABM10-165 2520

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所有石英晶體諧振器振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-165晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英無(wú)源晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
超聲波清洗:（1）使用AT-切割晶體和表面面濾波器波（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐摹＃?）請(qǐng)勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品（4）對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在貼片石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10-165晶振,無(wú)源進(jìn)口晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)2520貼片晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)歐美進(jìn)口貼片晶振電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

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驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明2520進(jìn)口貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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