霍爾效應(yīng)新突破Diodes微型開(kāi)關(guān)與低壓芯片組的完美兼容
在半導(dǎo)體行業(yè)的璀璨星空中,DiodesIncorporated無(wú)疑是一顆耀眼的明星.自1966年成立以來(lái),這家總部位于美國(guó)的納斯達(dá)克上市企業(yè),始終專注于半導(dǎo)體分立元件的研發(fā),生產(chǎn)和銷(xiāo)售,憑借半個(gè)多世紀(jì)的深厚積累與持續(xù)創(chuàng)新,在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占據(jù)了舉足輕重的地位.DiodesIncorporated業(yè)務(wù)版圖遍布全球,不僅在美國(guó)本土設(shè)有總部,物流中心及銷(xiāo)售辦事處,還在臺(tái)北,香港,法國(guó)圖盧茲,德國(guó)哈滕海姆等地建立了廣泛的生產(chǎn),銷(xiāo)售和支持網(wǎng)絡(luò),為全球客戶提供高效,便捷的服務(wù).2012年,DiodesIncorporated成功收購(gòu)大中華區(qū)的模擬信號(hào)集成電路制造商BCD半導(dǎo)體,進(jìn)一步豐富了產(chǎn)品線,提升了自身在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力.其產(chǎn)品線涵蓋二極管,整流器,晶體管,MOSFET,GPP橋,GPP整流器,保護(hù)裝置,特定功能數(shù)組等廣泛的半導(dǎo)體分立元件和集成電路,為通訊,電腦,工業(yè),電子產(chǎn)品和汽車(chē)工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域提供了關(guān)鍵的技術(shù)支持.如今,DiodesIncorporated再次發(fā)力,推出了令人矚目的微型低功耗霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān),在半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起新的波瀾,為行業(yè)發(fā)展注入新的活力.
DiodesIncorporated此次推出的微型低功耗霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)--AH1899A/B/S,以其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計(jì),在半導(dǎo)體領(lǐng)域中獨(dú)樹(shù)一幟,成為眾多電子設(shè)備制造商的理想選擇.外觀與尺寸:AH1899A/B/S采用先進(jìn)的X2-DFN1010-4(TypeB)表面貼裝技術(shù),這種封裝方式不僅使得開(kāi)關(guān)的體積大幅減小,僅為1.0mmx1.0mm,高度也低至0.4mm,而且相較于其他傳統(tǒng)器件,其尺寸優(yōu)勢(shì)明顯,能夠?yàn)殡娐钒骞?jié)省大量的空間.在如今電子產(chǎn)品追求輕薄便攜的大趨勢(shì)下,這種小巧的設(shè)計(jì)無(wú)疑為工程師們?cè)陔娐钒宀季稚咸峁┝烁蟮撵`活性.無(wú)論是智能手機(jī),平板電腦等小型便攜設(shè)備,還是對(duì)空間要求極高的可穿戴設(shè)備,AH1899A/B/S都能輕松適配,滿足其對(duì)元件小型化的需求.同時(shí),表面貼裝技術(shù)也使得生產(chǎn)過(guò)程更加高效,有助于提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和穩(wěn)定性.功耗與節(jié)能設(shè)計(jì):在功耗方面,AH1899A/B/S表現(xiàn)堪稱驚艷.它能夠在1.1V-2.0V的低供電電壓下穩(wěn)定工作,尤其在1.2V供電時(shí),平均工作電流最低可降至0.95µA,這種極低的功耗水平在同類(lèi)產(chǎn)品中處于領(lǐng)先地位.為了進(jìn)一步降低功耗,延長(zhǎng)電池使用壽命,該開(kāi)關(guān)內(nèi)置了休眠時(shí)鐘系統(tǒng).當(dāng)設(shè)備處于待機(jī)或不使用狀態(tài)時(shí),休眠時(shí)鐘系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)啟動(dòng),使開(kāi)關(guān)進(jìn)入低功耗模式,從而最大限度地減少能源消耗.以智能手機(jī)為例,其內(nèi)部的霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)如果采用AH1899A/B/S,在日常使用中,通過(guò)休眠時(shí)鐘系統(tǒng)的節(jié)能作用,能夠有效減少電池的耗電量,使得手機(jī)在單次充電后的使用時(shí)間得到顯著延長(zhǎng),為用戶帶來(lái)更加便捷的使用體驗(yàn).這種節(jié)能設(shè)計(jì)不僅符合當(dāng)下綠色環(huán)保的發(fā)展理念,也為電池供電的設(shè)備提供了更持久的續(xù)航保障,解決了用戶頻繁充電的困擾.
與低壓芯片組的兼容性揭秘
無(wú)縫集成優(yōu)勢(shì):AH1899A/B/S適用于1.1V至2.0V的供電電壓,特別是與新款的1.2V應(yīng)用芯片組能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)縫集成.在如今的電子設(shè)備中,芯片組的供電電壓越來(lái)越低,以追求更高的能效和更小的功耗.AH1899A/B/S的這一特性,使其能夠完美適配這些低壓芯片組,無(wú)需額外的電壓轉(zhuǎn)換電路,大大簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),降低了系統(tǒng)成本.以智能手表為例,其內(nèi)部的芯片組通常采用1.2V供電,AH1899A/B/S霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)可以直接與芯片組連接,實(shí)現(xiàn)對(duì)智能手表蓋子開(kāi)啟狀態(tài)的檢測(cè),確保在低功耗的同時(shí),能夠穩(wěn)定,可靠地工作.這種無(wú)縫集成的優(yōu)勢(shì),不僅提高了設(shè)備的整體性能,還為電子產(chǎn)品的小型化,輕量化設(shè)計(jì)提供了有力支持,使得電子設(shè)備制造商在產(chǎn)品研發(fā)過(guò)程中能夠更加輕松地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新設(shè)計(jì).
技術(shù)原理支撐:該霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)運(yùn)用了進(jìn)階斬波穩(wěn)定(Chopper-Stabilized)拓?fù)浼夹g(shù),這是其實(shí)現(xiàn)與低壓芯片組良好兼容性的關(guān)鍵技術(shù)支撐.在傳統(tǒng)的霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)中,磁性工作點(diǎn)(BOP)和釋放點(diǎn)(BRP)容易受到供電電壓和溫度變化的影響而發(fā)生漂移,這可能導(dǎo)致開(kāi)關(guān)的誤動(dòng)作或性能不穩(wěn)定.而AH1899A/B/S通過(guò)進(jìn)階斬波穩(wěn)定拓?fù)?能夠有效地解決這一問(wèn)題.其工作原理是通過(guò)周期性地對(duì)信號(hào)進(jìn)行調(diào)制和解調(diào),將低頻噪聲和漂移信號(hào)轉(zhuǎn)換為高頻信號(hào),然后通過(guò)濾波電路將其去除,從而使得磁性工作點(diǎn)和釋放點(diǎn)在電壓,溫度變化的情況下,都能表現(xiàn)出極小的漂移特性.例如,在不同的環(huán)境溫度下,從低溫的-20°C到高溫的85°C,AH1899A/B/S的磁性工作點(diǎn)和釋放點(diǎn)的漂移都被控制在極小的范圍內(nèi),確保了其在各種復(fù)雜工況下都能準(zhǔn)確地檢測(cè)磁場(chǎng)變化,穩(wěn)定地輸出開(kāi)關(guān)信號(hào).這種技術(shù)原理不僅保證了霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)在低壓供電下的穩(wěn)定運(yùn)行,還提高了其抗干擾能力,使其能夠更好地與低壓芯片組協(xié)同工作,為電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)的保障.
多樣應(yīng)用場(chǎng)景,盡顯卓越性能
AH1899A/B/S的應(yīng)用場(chǎng)景極為廣泛,憑借其出色的性能,在眾多領(lǐng)域中都發(fā)揮著重要作用.在智能手機(jī)和平板電腦中,它被廣泛應(yīng)用于檢測(cè)蓋子與外殼的開(kāi)啟狀態(tài).當(dāng)用戶打開(kāi)手機(jī)或平板電腦的保護(hù)蓋時(shí),AH1899A/B/S能夠迅速檢測(cè)到磁場(chǎng)的變化,并將信號(hào)傳輸給設(shè)備的控制系統(tǒng),從而實(shí)現(xiàn)屏幕自動(dòng)點(diǎn)亮,解鎖等功能;當(dāng)蓋子關(guān)閉時(shí),又能及時(shí)通知系統(tǒng)進(jìn)入待機(jī)或鎖屏狀態(tài),有效節(jié)省電量.這種智能檢測(cè)功能不僅提升了用戶體驗(yàn),還使得設(shè)備的操作更加便捷,人性化.以某知名品牌的平板電腦為例,采用AH1899A/B/S霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)后,用戶反饋在日常使用中,設(shè)備對(duì)蓋子開(kāi)合的響應(yīng)更加靈敏,從打開(kāi)蓋子到屏幕亮起幾乎沒(méi)有延遲,而且電池續(xù)航時(shí)間也有所增加,大大提升了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力.在數(shù)碼相機(jī)和游戲掌機(jī)的設(shè)計(jì)中,AH1899A/B/S則主要用于接近檢測(cè).當(dāng)用戶將相機(jī)或游戲掌機(jī)靠近面部時(shí),開(kāi)關(guān)能夠檢測(cè)到磁場(chǎng)變化,自動(dòng)關(guān)閉屏幕背光或觸發(fā)其他相關(guān)功能,避免誤操作的同時(shí),也能節(jié)省電量.比如,在使用數(shù)碼相機(jī)進(jìn)行自拍時(shí),當(dāng)相機(jī)靠近面部,AH1899A/B/S會(huì)立即檢測(cè)到這一動(dòng)作,自動(dòng)關(guān)閉屏幕背光,防止強(qiáng)光刺眼,同時(shí)觸發(fā)前置攝像頭的拍攝模式,為用戶提供更加便捷的拍攝體驗(yàn).在游戲掌機(jī)中,接近檢測(cè)功能也能讓玩家在游戲過(guò)程中,當(dāng)手掌靠近掌機(jī)時(shí),自動(dòng)調(diào)整屏幕亮度或音量,提升游戲的沉浸感和操作便利性.此外,AH1899A/B/S還可應(yīng)用于一般的非接觸式開(kāi)關(guān)場(chǎng)景.其全極工作特性,即開(kāi)關(guān)于封裝表面近N極或S極皆可工作,以及兩種靈敏度等級(jí)選項(xiàng),讓設(shè)計(jì)人員在針對(duì)不同應(yīng)用設(shè)計(jì)時(shí),能夠靈活定義開(kāi)關(guān)響應(yīng)時(shí)間.對(duì)于一些對(duì)靈敏度要求較高的精密儀器,設(shè)計(jì)人員可以選擇靈敏度較高的AH1899A型號(hào),其在磁場(chǎng)強(qiáng)度為18高斯時(shí)工作,強(qiáng)度為12高斯時(shí)釋放,能夠更精準(zhǔn)地檢測(cè)到微弱的磁場(chǎng)變化;而對(duì)于一些對(duì)靈敏度要求相對(duì)較低,但對(duì)穩(wěn)定性要求較高的工業(yè)控制設(shè)備,則可以選擇AH1899B或AH1899S型號(hào),它們?cè)诖艌?chǎng)強(qiáng)度超出30高斯時(shí)工作,低于20高斯時(shí)釋放,能夠在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行.這種靈活性使得AH1899A/B/S能夠滿足各種不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求,為電子設(shè)備的創(chuàng)新設(shè)計(jì)提供了有力支持.
DiodesIncorporated推出的這款微型低功耗霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)一經(jīng)問(wèn)世,便在行業(yè)內(nèi)引起了廣泛關(guān)注和高度評(píng)價(jià).某知名電子行業(yè)分析師表示:“AH1899A/B/S霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)的出現(xiàn),為便攜設(shè)備市場(chǎng)帶來(lái)了新的活力和解決方案.其與低壓芯片組的兼容性以及低功耗,小尺寸的特性,正好契合了當(dāng)下便攜設(shè)備向輕薄化,長(zhǎng)續(xù)航發(fā)展的趨勢(shì),有望成為眾多電子設(shè)備制造商在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的首選元件.”
霍爾效應(yīng)新突破Diodes微型開(kāi)關(guān)與低壓芯片組的完美兼容
| SG-8018CG 32.5140M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.514 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 12.7000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 12.7 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 133.302860M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 133.30286 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 26.296750M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 26.29675 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 45.4545M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 45.4545 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 31.3500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 31.35 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 12.2727M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 12.2727 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 12.8800M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 12.88 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 132.8130M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 132.813 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 4.096250M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 4.09625 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 97.2000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 97.2 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 0.7990M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 799 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.1060M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.106 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 23.0140M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 23.014 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 16.3840M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 16.384 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 50.1100M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 50.11 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 18.0224M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 18.0224 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 16.3860M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 16.386 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 53.0000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 53 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 56.6500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 56.65 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 13.553750M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 13.55375 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 45.0000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 45 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 100.0100M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 100.01 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 93.7500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 93.75 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 19.2840M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 19.284 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 139.2460M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 139.246 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 100.0500M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 100.05 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 19.4444M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 19.4444 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 26.8300M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 26.83 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.7500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.75 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 135.2650M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 135.265 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 27.000625M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 27.000625 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 138.7000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 138.7 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.2500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.25 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 137.5000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 137.5 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 0.9000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 900 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 56.4480M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 56.448 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 26.9900M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 26.99 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 120.9600M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 120.96 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 14.089190M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 14.08919 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.507936M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.507936 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 100.0400M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 100.04 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 19.6870M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 19.687 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 44.5450M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 44.545 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 4.9150M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 4.915 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 4.3000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 4.3 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.5140M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.514 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 55.5555M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 55.5555 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 50.0080M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 50.008 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 23.8040M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 23.804 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 121.0000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 121 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 27.0016M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 27.0016 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 148.2200M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 148.22 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 99.9300M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 99.93 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 14.0500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 14.05 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 98.7650M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 98.765 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 46.495960M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 46.49596 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 50.0025M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 50.0025 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 64.5160M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 64.516 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 0.7840M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 784 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
NDK晶振,貼片晶振,NX2520SA晶體
KDS晶振,貼片晶振,DST310S晶振
KDS晶振,貼片晶振,DST1610AL晶振
KDS晶振,石英晶振,AT-49晶振